[发明专利]掩膜版及其制备方法有效
| 申请号： | 202011411011.0 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112662994B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 张浩瀚;李慧;刘明星;甘帅燕 | 申请（专利权）人： | 合肥维信诺科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24;C23C14/12;H10K71/16 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 范坤坤 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种掩膜版及其制备方法，该掩膜版包括开口区和围绕开口区设置的遮挡区，遮挡区包括多个半刻蚀结构，多个半刻蚀结构围绕所述开口区设置，半刻蚀结构用于在掩膜版沿第一方向拉伸过程中降低掩膜版在第二方向上的内缩量。本发明实施例提供的技术方案通过在遮挡区设置半刻蚀结构，使得掩膜版在进行拉伸时，可抵消拉力在掩膜版的非拉伸方向上产生的挤压力对掩膜版产生的内缩形变，进而能够减小掩膜版在非拉伸方向的内缩量。由于掩膜版在非拉伸方向的内缩量较小，因此可以提高模拟补偿值的准确度，将掩膜版焊接在框架上时，有利于将掩膜版平坦化，从而降低了掩膜版的拉伸褶皱，提高了像素位置精度，降低了蒸镀混色的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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