[发明专利]一种晶圆电容的制作方法、晶圆电容及电子设备在审

专利信息
申请号: 202011402434.6 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN112490361A 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 张拴;郭鹏飞;马琳;陆原 申请(专利权)人: 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司
主分类号: H01L49/02 分类号: H01L49/02
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 刘杰
地址: 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种晶圆电容的制作方法、晶圆电容及电子设备,该方法包括:对晶圆基底的背面进行打薄处理,使得晶圆基底的厚度达到设定厚度,晶圆基底设置有孔道,孔道中填充有铜柱,设置有孔道的一面为正面,与正面相对的一面为背面;对晶圆基底的背面做图形化处理,并对晶圆基底的背面进行刻蚀得到凹槽,通过凹槽露出晶圆基底的孔道中的铜柱;在凹槽中制备接触金属层,得到晶圆电极;选取两个晶圆电极,在其中一个晶圆电极的接触金属层表面制备介电材料层;介电材料层的介电常数大于200C2/(N·M2);将两个晶圆电极键合形成晶圆电容,介电材料层位于两个晶圆电极的接触金属层之间。本发明提供的晶圆电容可以耐高压,不容易被击穿。
搜索关键词: 一种 电容 制作方法 电子设备
【主权项】:
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