[发明专利]具有完全耗尽沟道区域的功率半导体器件在审
| 申请号： | 202011399400.6 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN112531024A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | A·毛德;F-J·涅德诺斯塞德;C·P·桑道 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有完全耗尽沟道区域的功率半导体器件，包括：半导体本体，耦合至第一负载端子结构和第二负载端子结构，并且被配置为传导负载电流；第一单元和第二单元，每一个都被配置用于控制负载电流，并且每一个都在一侧电连接至第一负载端子结构以及在另一侧电连接至半导体本体的漂移区域，漂移区域具有第一导电类型；第一台面，包括在第一单元中，第一台面包括第一端口区域和第一沟道区域，第一端口区域具有第一导电类型且电连接至第一负载端子结构，第一沟道区域耦合至漂移区域；第二台面，包括在第二单元中，第二台面包括第二端口区域和第二沟道区域，第二端口区域具有第二导电类型且电连接至第一负载端子结构，第二沟道区域耦合至漂移区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 完全 耗尽 沟道 区域 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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