[发明专利]一种用于ESD保护的基区变掺杂晶体管在审
| 申请号： | 202011393920.6 | 申请日： | 2020-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN112687736A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 蒲石;田泽;郎静;邵刚;谢运祥 | 申请（专利权）人： | 西安翔腾微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/36;H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安匠成知识产权代理事务所(普通合伙) 61255 | 代理人： | 商宇科 |
| 地址： | 710054 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于ESD保护的基区变掺杂晶体管。本发明包括P型衬底、第一NWELL区、第一PWELL区、第一N+接触区、第二N+接触区和第一P+接触区，第一NWELL区位于P型衬底内部上方，第一PWELL区位于第一NWELL区内部右上方，第一N+接触区位于第一NWELL区内部左上方，第二N+接触区位于第一PWELL区内部左上方，第一P+接触区位于第一PWELL区内部右上方，第一PWELL区通过线性变掺杂的掺杂方式形成。本发明能够通过基区的自建场降低基区的输运系数，从而提高器件的维持电压，避免闩锁效应的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 esd 保护 基区变 掺杂 晶体管 | ||
【主权项】：
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