[发明专利]芯片、三维芯片、电子设备及三维芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202011387222.5 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112510030A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王嵩;谈杰;刘成 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/60;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 吴莹 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片、三维芯片、电子设备及三维芯片的制造方法，其中，所述芯片用作三维芯片的子芯片，所述芯片包括：内部接口和内部电路，内部电路用于实现所述芯片的收发功能，内部接口用于连接三维芯片中的其他子芯片，其中，内部电路通过静电释放电路连接到所述内部接口，静电释放电路用于将从所述内部接口灌入的静电荷进行释放。本申请针对构成三维芯片的内部的子芯片，在其内部电路和内部接口之间接入静电释放电路，该静电释放电路使得子芯片在组装的过程中发生ESD(Electro‑Static discharge，静电释放)事件时，能够将从内部接口灌入的静电荷进行释放，从而能够避免子芯片被损坏，解决了现有技术中的三维芯片的可靠性较差的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 三维 电子设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
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