[发明专利]一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法、磁性存储单元及存储器在审
| 申请号： | 202011372063.1 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112510146A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 周钰卿;周艳;赵月雷;武凯;杨晟;张溪超 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学（深圳） |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;H01L43/10;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王欣 |
| 地址： | 518115 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法，所述方法包含如下步骤：S1、提供所述磁性多层膜，所述磁性多层膜包括依次层叠设置的第一磁性层、非磁性金属层和第二磁性层，所述磁性多层膜中形成一个以上反铁磁耦合的第一条带、以及一个以上铁磁耦合的第二条带，所述第一条带和所述第二条带交替形成；所述第一条带和所述第二条带沿第一方向相互平行；S2、将所述磁性多层膜接入电路并通入交流电流，在所述第一条带和所述第二条带的交界处产生所述斯格明子；其中，所述交流电流的频率为47 kHz‑52 kHz，峰值大小为37mA‑39mA。该方法可用于制备高集成度的器件，也便于和现有的半导体工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 电流 诱导 磁性 多层 产生 明子 方法 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于香港中文大学（深圳），未经香港中文大学（深圳）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011372063.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种鱼塘防富营养化检测装置
- 下一篇：一种斗杆油缸加工用零部件钻孔装置
