[发明专利]一种低电容保护器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202011367706.3 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112331647A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 许志峰;宋文龙;张鹏;刘志雄 | 申请（专利权）人： | 江苏吉莱微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低电容保护器件及其制作方法，该器件包括P型衬底材料（101），P型衬底材料（101）上设置P型外延层（102）；P型外延层（102）上设置P型埋层（103）和介质层（104）；P型埋层（103）上设置N型扩散区（105）；介质层（104）和N型扩散区（105）上设置隔离介质层（106）；隔离介质层（106）两侧分别设置金属区一（107）、金属区二（108）。本发明能够降低电容，得到更低的箝位电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 保护 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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