[发明专利]低导通电阻的深沟槽MOSFET器件结构在审
| 申请号： | 202011355464.6 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112271213A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 李恩求;李铁生;杨乐;刘琦 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低导通电阻的深沟槽MOSFET器件结构，所述器件的屏蔽栅极多晶硅和其上方的栅极多晶硅短接，在MESA区靠近深沟槽区域形成积累层；栅极多晶硅左右两侧往下延伸，在深沟槽侧壁形成低阻区域。本发明将传统的屏蔽栅极与源区短接改进为与栅极短接，进而将多晶硅间介质降低到最小，使得上层栅极多晶硅层往下延伸，将器件的部分MESA电阻转化为电阻率更低的积累层电阻，并通过栅极多晶硅层的延伸，将MESA内等势线从体区与漂移区之间的PN结转移至深沟槽中部位置，以实现深沟槽MOSFET平台纵向电场强度由驼峰分布转化为更均匀的近似矩形分布。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 深沟 mosfet 器件 结构 | ||
【主权项】：
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