[发明专利]基板加热单元、基板处理装置以及基板处理方法在审
| 申请号： | 202011343448.5 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN113053777A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 金泰信;郑暎大;郑智训;李智暎;金源根 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人： | 李英艳;玉昌峰 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及基板加热单元、基板处理装置以及基板处理方法。在处理基板时，将具有均匀化的能量分布的第一光束(整体均匀形态的平顶激光束)和具有边缘区域被强化的能量分布的第二光束(边缘强化形态的平顶激光束)中一个光束选择性地提供于基板，从而既能够将基板加热到整体均匀的温度，也能够在基板的边缘区域的温度相对低情况下最小化基板的温度偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 单元 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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