[发明专利]半导体工艺设备和等离子体启辉方法在审
| 申请号： | 202011336795.5 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112466732A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 杨京;钟晨玉;韦刚;陈星 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/24 | 分类号： | H01J37/24;H01J37/244;H01J37/302;H01J37/305;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;魏艳新 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体工艺设备和等离子体启辉方法，其中，半导体工艺设备包括：反应腔室；进气组件，用于向所述反应腔室中通入反应气体；上电极组件，用于将所述反应气体激发成等离子体；监测器，用于在所述等离子体点火时，监测所述反应腔室中等离子体的电磁辐射强度；控制器，用于判断所述监测器监测到的电磁辐射强度是否达到预设强度，若是，则确定等离子体点火成功；在等离子体点火成功后，控制所述上电极组件进行第一预设时长的阻抗匹配。本发明可以提高刻蚀效果的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺设备 等离子体 方法 | ||
【主权项】：
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