[发明专利]一种低电阻硅产品的蚀刻液及其蚀刻方法有效
| 申请号： | 202011336138.0 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112662401B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王燕清 | 申请（专利权）人： | 重庆臻宝实业有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 400050 重庆市九*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低电阻硅产品的蚀刻液，由氟化氢铵、硝酸钾、硫酸、过硫酸铵、辛基酚聚氧乙烯醚、聚乙二醇和磷酸的水溶液组成。利用氟化氢铵和硫酸适量配比时可以按照一定速率产生一定量的HF，和少量硝酸钾、过硫酸铵、磷酸配比后进行蚀刻。减少反应过程中产生的大量气泡引起蚀刻液无法完全与硅产品表面接触所造成的不完全或不均匀的蚀刻，减少斑点的产生。蚀刻液对产品表面进行均匀蚀刻，反应时溶液各离子很快均匀分散，产品表面不会产生不均匀色差现象。反应均匀不剧烈，蚀刻速率均匀，粗糙度和蚀刻前几乎无差别。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 产品 蚀刻 及其 方法 | ||
【主权项】：
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