[发明专利]一种低电阻硅产品的蚀刻液及其蚀刻方法

权利要求书

1.一种低电阻硅产品的蚀刻液，其特征在于，其蚀刻液由以下物质的水溶液组成：氟化氢铵、硝酸钾、硫酸、过硫酸铵、辛基酚聚氧乙烯醚、聚乙二醇和磷酸；按质量百分比计，

氟化氢铵 20-25%

硝酸钾 10-13%

硫酸 30-40%

过硫酸铵 1-2%

磷酸 3-5%

聚乙二醇 1-2%

辛基酚聚氧乙烯醚 0.5-1%；所述低电阻硅产品为电阻率小于0.1Ω.cm的硅产品。

2.根据权利要求1所述的低电阻硅产品的蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，其蚀刻液由以下物质的水溶液组成：

氟化氢铵 20-23%

硝酸钾 10-12%

硫酸 35-40%

过硫酸铵 1-2%

磷酸 4-5%

聚乙二醇 1-1.5%

辛基酚聚氧乙烯醚 0.5-1%。

3.根据权利要求1所述的低电阻硅产品的蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，其蚀刻液由以下物质的水溶液组成：

氟化氢铵 20%

硝酸钾 12%

硫酸 35%

过硫酸铵 2%

磷酸 5%

聚乙二醇 1%

辛基酚聚氧乙烯醚 0.8%。

4.根据权利要求1-3任一项所述的低电阻硅产品的蚀刻液，其特征在于，所述硫酸为质量浓度大于等于70%的硫酸。

5.根据权利要求1-3任一项所述的低电阻硅产品的蚀刻液，其特征在于，所述磷酸为质量浓度50%-80%的磷酸。

6.权利要求1-5任一项所述的低电阻硅产品的蚀刻液的蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：按配比称取所需要的氟化氢铵，加适量的水溶解，再分别按量依次缓慢加入硝酸钾、磷酸、硫酸和过硫酸铵，搅拌均匀，冷却至室温，再加辛基酚聚氧乙烯醚和聚乙二醇，最后加余量水定容；

S2：将溶液加热到20-40℃，放入硅产品，匀速转动，蚀刻时间为1-5分钟。

7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于，步骤S2中溶液加热到30℃。

8.权利要求1-5任一项所述的蚀刻液在电阻率小于0.1Ω.cm的硅产品上的应用。