[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法与LED芯片有效
| 申请号： | 202011333145.5 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN113451462B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 李兵兵;黄国栋;黄嘉宏;林雅雯;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开一种LED外延结构及其制备方法与LED芯片。所述LED外延结构包括依次层叠设置的第一半导体层、多量子阱和第二半导体层，所述多量子阱由多个单量子阱层叠而成，其中，所述单量子阱包括依次层叠设置的第一GaN过渡层、InGaN势阱层、调控层、第二GaN过渡层以及GaN势垒层；其中，所述调控层包括In层或InN层。本发明该结构可以有效提高多量子阱的界面质量，抑制In的偏析，降低点缺陷密度；使阱垒层的界面更加陡峭、光滑，降低多量子阱中的V形缺陷密度，从而使非辐射复合率降低；使多量子阱中的穿透位错在界面处湮灭，降低穿透位错密度，从而降低漏电流，提高LED外延结构的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 及其 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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