[发明专利]一种基于外延沟道的MOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011322803.0 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114530370A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 李鑫 | 申请（专利权）人： | 瑶芯微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/51;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于外延沟道的MOSFET器件及其制备方法，方法包括：选取N型衬底层；在N型衬底层上形成N型外延层；在N型外延层的两端的内表面形成P阱注入区；在P阱注入区的内表面形成N+注入区和P+注入区，两个N+注入区位于两个P+注入区之间；在部分N型外延层、部分P阱注入区和部分N+注入区上形成外延沟道层；热氧化外延沟道层和N型外延层形成第一栅氧化层、位于第一栅氧化层和N型外延层上的第二栅氧化层；在P+注入区和部分N+注入区上形成源极；在N型衬底层的下表面形成漏极；在第二栅氧化层上形成栅极。本发明形成了外延沟道层，并对该外延沟道层进行了氧化处理，通过氧化方法形成栅氧化层，由此可以有效避免传统结构中沟道处的C簇问题，从而降低沟道缺陷密度、提升沟道迁移率、改善器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 外延 沟道 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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