[发明专利]纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管在审

专利信息
申请号: 202011316375.0 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN114520297A 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01M50/54;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 刘芙蓉
地址: 516000 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管。所述纳米材料具有核壳结构,其中核包括TiS2纳米颗粒,壳层包括金属氧化物纳米颗粒,所述金属氧化物纳米颗粒的带隙大于TiS2纳米颗粒的带隙。本发明纳米材料中,宽带隙的金属氧化物纳米颗粒可以有效的阻挡空穴从量子点发光层传输到阴极,从而确保了量子点发光层中电子和空穴的复合效率。以宽带隙金属氧化物纳米颗粒为壳层,包覆带隙相对较窄的TiS2纳米颗粒,提高了核壳结构纳米材料的稳定性,有利于改善电子的传输。金属氧化物纳米颗粒为壳层,可以填补TiS2纳米颗粒表面的硫空位,降低表面硫缺陷的形成,减少缺陷对电子的捕获,提高电子传输性能,增强器件的发光效率。
搜索关键词: 纳米 材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管
【主权项】:
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