[发明专利]一种原位生长在碳布上的铬掺杂磷化钴纳米棒阵列的制备方法

摘要

本发明的目的在于提供一种原位生长在碳布上的铬掺杂磷化钴纳米棒阵列的制备方法，具体步骤包括：先将碳布在硝酸中氧化以增强其亲水性，然后采用水热法在碳布上原位生长一层前驱体CrxCo1‑x(OH)F/CC，最后通过高温气相磷化法将生长在碳布上的前驱体转变为铬掺杂磷化钴CrxCo1‑x(OH)F/CC。该制备工艺操作简单、易于控制、成本低廉、可用于大规模生产，采用该方法制备的原位生长在碳布上的铬掺杂磷化钴纳米棒阵列分布均匀、排列紧密、棒状颗粒尺寸达到纳米级且粒径均一，铬掺杂降低氢吸附自由能的同时保留了CoP晶型，能够高效、持续、稳定地催化析氢反应的进行。