[发明专利]用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面钝化结构及其器件有效

专利信息
申请号: 202011302202.3 申请日: 2020-11-19
公开(公告)号: CN112420813B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 郭德霄;林志东;何俊蕾;王立阁;汪晓媛;赵杰;刘成;叶念慈 申请(专利权)人: 厦门市三安集成电路有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/20;H01L29/40;H01L29/778;H01L21/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361100 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种用于Ⅲ‑Ⅴ族氮化物器件的表面钝化结构及其器件,包括位于Ⅲ‑Ⅴ族氮化物基底上的Al1‑xScxN层和AlySc2‑yO3层,Al1‑xScxN层和AlySc2‑yO3层由下至上依次层叠设置,其中,Al1‑xScxN层的厚度为0.5~10nm,0<x≤1;AlySc2‑yO3层的厚度为1~20nm,0≤y<2,Al1‑xScxN层的厚度≤AlySc2‑yO3层的厚度。本发明可以进一步降低界面态的产生,降低器件出现电流崩塌的风险,提高器件可靠性。
搜索关键词: 用于 氮化物 器件 表面 钝化 结构 及其
【主权项】:
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