[发明专利]非易失性存储器装置在审
| 申请号： | 202011300099.9 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112908386A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 崔容赫;柳载德;南尚完;朴相元;边大锡;任琫淳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26;G11C5/14;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器装置包括第一半导体层、第二半导体层、控制电路和焊盘区域，第一半导体层包括上基板和存储器单元阵列，在上基板中设置有在第一方向上延伸的字线和在第二方向上延伸的位线。存储器单元阵列包括位于上基板上的竖直结构，并且该竖直结构包括存储器块。第二半导体层包括下基板，该下基板包括地址解码器和页缓冲器电路。竖直结构包括其中设置有一个或多个贯穿孔通孔的通孔区域，并且通孔区域在第二方向上间隔开。存储器单元阵列包括与位线中的不同位线对应的垫。至少两个垫根据在第一方向上距焊盘区域的距离包括不同数量的通孔区域。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 | ||
【主权项】：
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