[发明专利]一种晶圆处理装置及方法在审
| 申请号： | 202011293683.6 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114520161A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 姜东勋;周娜;李俊杰;王佳;李琳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 姚东华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆处理装置及方法，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中在进行完所有的晶圆工艺之后才进行清洗，导致无法将半导体制造过程中产生的烟气完全去除，晶圆良率损失的问题。该晶圆处理装置包括工艺腔室、转运腔室和清洗系统。清洗系统设于晶圆处理装置内，以使经过工艺腔室的晶圆能够直接进入清洗系统进行清洗。转运腔室内设有转运机械手，转运机械手完成晶圆在工艺腔室与转运腔室间以及转运腔室与清洗系统间的传送。晶圆处理方法包括在进行完每一个会产生烟气的工艺之后均将晶圆送入清洗系统清洗并进行干燥处理。本发明实现了对烟气的有效去除，改善了因烟气造成的良率损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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