[发明专利]有源区结构以及形成有源区结构的方法在审
申请号: | 202011285381.4 | 申请日: | 2020-11-17 |
公开(公告)号: | CN112271179A | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 许耀光;童宇诚;朱贤士;周运帆;郭鹏 | 申请(专利权)人: | 福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;陈敏 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本公开提供一种有源区结构以及形成有源区结构的方法,该有源区结构包括设置于所述有源层上的有源区;其中,所述有源区为封闭结构,所述有源区包括沿预设方向的若干间隔设置的第一有源线、与所述第一有源线间隔且交替的第二有源线、第一封闭边界和第二封闭边界;所述第一有源线的两端均与所述第一封闭边界相交;所述第一有源线包括若干间隔设置的第一器件单元,所述第二有源线包括若干间隔设置的第二器件单元,所述第一器件单元与所述第二器件单元交错设置。这种结构可以均衡有源器件单元与其边界的应力,防止器件单元因为应力不均而损坏。且第二封闭边界与器件单元同时形成,可以减少掩膜版的数量,简化工艺流程,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 有源 结构 以及 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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