[发明专利]一种改进的磷化铟晶体合成和生长工艺及装置在审
| 申请号： | 202011278512.6 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112410883A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 高文飞 | 申请（专利权）人： | 宇泽半导体（云南）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B15/00;C01B25/08 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 王美章 |
| 地址： | 675000 云南省楚*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及磷化铟晶体制备技术领域，具体涉及一种磷化铟晶体合成和生长工艺及装置。本发明在熔体坩埚的外部设置的电磁约束感应器，约束熔体横向截面尺寸和形状，使熔体的侧面与坩埚的内壁脱离接触或部分脱离接触。在坩埚的上部设置的电磁加热感应器，加热磷化铟晶体，控制晶体中的温度梯度。由于熔体与石英坩埚壁间形成间隔，减少了熔体与坩埚的接触面积，有利于降低坩埚中杂质对磷化铟晶体的污染；同时由于增加了熔体与磷蒸汽的接触面积，使得磷原子可以更有效地向熔体内部扩散，有利于提高晶体合成和生长速度，而控制熔体横向截面尺寸及形状和晶体中的温度梯度，有利于提高晶体生长的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 磷化 晶体 合成 生长 工艺 装置 | ||
【主权项】：
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