[发明专利]一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的高效太阳能电池结构在审
申请号: | 202011268971.6 | 申请日: | 2020-11-13 |
公开(公告)号: | CN112331735A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 陈琳 | 申请(专利权)人: | 陈琳 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/053 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 154007 黑*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于Ⅲ‑Ⅴ族半导体的高效太阳能电池结构,属于太阳能电池技术领域,本发明可以通过在吸光层上设置多根引光棒的方式,不仅可以辅助吸光层提高吸光效率,同时可以自主感知太阳照射角度,利用不同太阳光照射引起的温度变化,从而控制引光棒朝向温度高的方向倾斜,实现引光棒的自主追光,实时与太阳光近似保持直射来提高吸光效果,并且可以通过预埋的蓄光包对白天多余的太阳能进行吸收储存,在夜晚通过控粉膜和遮光粉的配合,对面向外界的方向进行覆盖遮光,强制将蓄光包的放光方向导向面向Ⅲ‑Ⅴ族多晶半导体层的角度,从而提高对光能的利用率,显著提升光电转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 半导体 高效 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的