[发明专利]一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的高效太阳能电池结构在审

专利信息
申请号: 202011268971.6 申请日: 2020-11-13
公开(公告)号: CN112331735A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 陈琳 申请(专利权)人: 陈琳
主分类号: H01L31/054 分类号: H01L31/054;H01L31/053
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 154007 黑*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于Ⅲ‑Ⅴ族半导体的高效太阳能电池结构,属于太阳能电池技术领域,本发明可以通过在吸光层上设置多根引光棒的方式,不仅可以辅助吸光层提高吸光效率,同时可以自主感知太阳照射角度,利用不同太阳光照射引起的温度变化,从而控制引光棒朝向温度高的方向倾斜,实现引光棒的自主追光,实时与太阳光近似保持直射来提高吸光效果,并且可以通过预埋的蓄光包对白天多余的太阳能进行吸收储存,在夜晚通过控粉膜和遮光粉的配合,对面向外界的方向进行覆盖遮光,强制将蓄光包的放光方向导向面向Ⅲ‑Ⅴ族多晶半导体层的角度,从而提高对光能的利用率,显著提升光电转化效率。
搜索关键词: 一种 基于 半导体 高效 太阳能电池 结构
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈琳,未经陈琳许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011268971.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top