[发明专利]一种半导体制程中使用的中性水基清洗剂组合物有效

专利信息
申请号: 202011263388.6 申请日: 2020-11-12
公开(公告)号: CN112175750B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 刘小勇;田博;侯琳熙;房龙翔 申请(专利权)人: 福建省佑达环保材料有限公司
主分类号: C11D1/825 分类号: C11D1/825;C11D3/00;C11D3/20;C11D3/34;C11D3/37;C11D3/43;C11D3/60;C07C231/02;C07C235/10
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 修斯文;蔡学俊
地址: 362800 *** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种半导体制程中使用的中性水基清洗剂组合物,以质量百分数之和为100%计,该清洗剂组合物的组成成分及各成分含量为:双子类表面活性剂5%~10%,非离子表面活性剂5%~10%,醇醚类溶剂15%~30%,抗污垢再沉积剂1%~5%,阻蚀剂0.05%‑0.5%,余量为去离子水。该清洗剂组合物能有效清洗掉半导体生产过程中辅料的残留物及各种有机物、氧化物和尘埃等污染物,且对引线框架、导体器件焊后敏感材料的兼容性好,不损伤不腐蚀,低泡高效,清洗效果好,渗透性强,对微粒分散性好,能有效防止二次污染。
搜索关键词: 一种 半导体 制程中 使用 中性 水基清 洗剂 组合
【主权项】:
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