[发明专利]一种半导体制程中使用的中性水基清洗剂组合物

权利要求书

1.一种半导体制程中使用的中性水基清洗剂组合物，其特征在于：以质量百分数之和为100%计，所述中性水基清洗剂组合物的组成成分及各成分含量如下：

双子表面活性剂 5%~10%；

非离子表面活性剂 5%~10%；

醇醚类溶剂 15%~30%；

抗污垢再沉积剂 1%~5%；

阻蚀剂 0.05%-0.5%；

余量为去离子水；

所述双子表面活性剂的化学结构式为：

，其中R为C6~C14中碳原子数为偶数的烷基；

所述非离子表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚嵌段共聚物，其中聚氧乙烯单元数为4~10，聚丙烯单元数为4~8，脂肪醇碳原子数为12~14。

2.根据权利要求1所述的中性水基清洗剂组合物，其特征在于：所述醇醚类溶剂为乙二醇单甲醚、二乙醇二甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇二乙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇二乙醚、丙二醇单丁醚、丙二醇二丁醚中的一种或者几种。

3.根据权利要求1所述的中性水基清洗剂组合物，其特征在于：所述抗污垢再沉积剂为聚乙烯吡咯烷酮。

4.根据权利要求1所述的中性水基清洗剂组合物，其特征在于：所述阻蚀剂为巯基苯并噻唑。

5.根据权利要求1所述的中性水基清洗剂组合物，其特征在于：所述中性水基清洗剂组合物的制备方法是先将去离子水加入搅拌釜，在300~350r/m的转速下依次加入双子表面活性剂、非离子表面活性剂、醇醚类溶剂、抗污垢再沉积剂、阻蚀剂，控制溶液温度≤40℃，搅拌至澄清，再依次通过孔径为2μm和0.5μm的两道滤芯过滤，灌装密封后常温避光存放。