[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202011261966.2 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112802853A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 久本大;川嶋祥之;桥本孝司 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体器件。半导体器件具有使用FinFET的分离栅极型MONOS结构，并且该半导体器件包括源极和漏极，其各自由n型杂质扩散层形成；第一沟道形成层，形成在控制栅极下方，并且由掺杂有p型杂质的半导体层形成、以及第二沟道形成层，形成在存储器栅极下方，并且由掺杂有n型杂质的半导体层形成。此外，半导体器件包括p型半导体层，该p型半导体层形成在第二沟道形成层下方，并且具有比半导体衬底的杂质浓度高的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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