[发明专利]一种提高ETFE抗内带电特性的方法及得到的复合电介质在审
| 申请号： | 202011257508.1 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112608547A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 郑舒赛;王潇平;李盛涛;侯欣宾;王立 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C08L23/08 | 分类号： | C08L23/08;C08K9/00;C08K3/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高ETFE抗内带电特性的方法及得到的复合电介质，属于ETFE改性领域。本发明的提高ETFE抗内带电特性的方法，以SiC纳米粒子作为填料，采用熔融共混法将之混入基料ETFE中，每100份ETFE中添加0.5‑5份的SiC纳米粒子，得到ETFE/SiC复合电介质。本发明的生产过程简单，条件容易控制，便于大规模生产。本发明的ETFE/SiC复合电介质，在保持优秀绝缘性能的同时，具有优秀的非线性电导特性。非线性电导特性使得当材料内部电场畸变达到一定阈值时，材料的电导率升高，有助于电荷的泄放；而在正常工作情况下其电导率保持较低水平，其击穿场强保持较高水平，不影响其绝缘性能的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 etfe 带电 特性 方法 得到 复合 电介质 | ||
【主权项】：
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