[发明专利]一种提高ETFE抗内带电特性的方法及得到的复合电介质在审
| 申请号： | 202011257508.1 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112608547A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 郑舒赛;王潇平;李盛涛;侯欣宾;王立 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C08L23/08 | 分类号： | C08L23/08;C08K9/00;C08K3/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 etfe 带电 特性 方法 得到 复合 电介质 | ||
1.一种提高ETFE抗内带电特性的方法，其特征在于，采用熔融共混法将SiC纳米粒子混入ETFE颗粒中，得到ETFE/SiC复合电介质；
其中，以重量分数计，每100份ETFE中添加0.5-5份的SiC纳米粒子。
2.根据权利要求1所述的提高ETFE抗内带电特性的方法，其特征在于，ETFE颗粒经以下预处理：
将ETFE颗粒中加入酒精，直至酒精液面没过ETFE颗粒，之后进行超声清洗10-20min；过滤出ETFE颗粒，将ETFE颗粒在70-80℃下烘干。
3.根据权利要求1所述的提高ETFE抗内带电特性的方法，其特征在于，SiC纳米粒子经以下预处理：
在SiC纳米粒子中加入酒精，直至酒精没过SiC纳米粒子；
进行磁力搅拌，之后进行超声分散，得到悬浊液；
利用纳米均质仪对悬浊液进行分散处理，提高悬浊液中纳米粒子分散性；
之后将悬浊液在90-100℃烘干；
将烘干的SiC纳米粒子进行研磨、过筛，所用的筛网为200目。
4.根据权利要求1所述的提高ETFE抗内带电特性的方法，其特征在于，熔融共混的具体过程为：
将ETFE颗粒与SiC纳米粒子，在RM-200C转矩流变仪内进行熔融共混，熔融共混温度为270-300℃；
在熔融共混过程中实时观察转矩图像，转矩稳定后密炼20min，得到ETFE/SiC复合电介质。
5.一种根据权利要求1-4的方法制备得到的ETFE/SiC复合电介质，其特征在于，具有非线性电导特性。
6.根据权利要求5所述的ETFE/SiC复合电介质，其特征在于，ETFE/SiC复合电介质的击穿场强范围为289.7～428.9kV/mm；
在外加场强低于32.kV/mm时，ETFE/SiC复合电介质为绝缘材料；
当外加场强为32.5～42.5kV/mm时，ETFE/SiC复合电介质的电阻率为10-10～10-11Ω.cm。
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