[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成由栅极层和介质层交替堆叠的堆叠结构；在所述堆叠结构中形成暴露出所述衬底表面的隔槽；在所述隔槽的侧壁和底部表面上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第一氧化物层，所述第一氧化物层填充所述隔槽，并在所述隔槽中形成凹槽，所述凹槽暴露所述隔槽中的部分第一金属层；以及形成与所述部分第一金属层电连接的导电插塞。本发明在三维存储器的隔槽中采用应力较小的第一氧化物层，减少了金属材料的用量，在整体上减小了隔槽中的材料所产生的应力，降低了晶圆的翘曲程度。