[发明专利]磁传感器的制备方法有效
| 申请号： | 202011222661.0 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112289924B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 赵海轮;冷群文;邹泉波;安琪;周汪洋;丁凯文;周良 | 申请（专利权）人： | 歌尔微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/10;H01L43/08;G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 张毅 |
| 地址： | 266100 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁传感器的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成磁阻复合层，采用光刻技术在所述磁阻复合层表面形成沉积槽，并在所述沉积槽内形成薄膜电极；在所述磁阻复合层以及所述薄膜电极的表面形成第二绝缘层，采用光刻技术去除所述工艺磁阻复合层对应的所述第二绝缘层，以使得所述工艺磁阻复合层表面显露；以所述有效磁阻复合层对应的第二绝缘层为硬质掩膜，刻蚀所述工艺磁阻复合层；采用光刻技术去除部分所述硬质掩膜，以使得所述薄膜电极的表面至少部分显露，提高了所述有效磁阻复合层成型精度，进而提高了产品质量，具有较好的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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