[发明专利]磁传感器的制备方法

说明书

本发明公开一种磁传感器的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成磁阻复合层，采用光刻技术在所述磁阻复合层表面形成沉积槽，并在所述沉积槽内形成薄膜电极；在所述磁阻复合层以及所述薄膜电极的表面形成第二绝缘层，采用光刻技术去除所述工艺磁阻复合层对应的所述第二绝缘层，以使得所述工艺磁阻复合层表面显露；以所述有效磁阻复合层对应的第二绝缘层为硬质掩膜，刻蚀所述工艺磁阻复合层；采用光刻技术去除部分所述硬质掩膜，以使得所述薄膜电极的表面至少部分显露，提高了所述有效磁阻复合层成型精度，进而提高了产品质量，具有较好的效果。

技术领域

本发明涉及磁性电子器件制作工艺技术领域，特别涉及一种磁传感器的制备方法。

背景技术

巨磁阻(Giant Magneto Resistance，GMR)或隧道磁阻(Tunnel MagnetoResistance，TMR)的磁阻传感器可以较好地用来代替传统磁电阻传感器，因为巨磁阻传感器的磁阻率值很大、磁场灵敏度也比较高，可以很大程度上增加传感器的分辨率、灵敏度和精确性，尤其当外部磁场很微弱的情况下，比如伪钞识别器等，会展现出更大的优势。磁电阻传感器可以测量很多物理量，不仅仅是局限于测量磁场，例如电流、线位移、线速度、角位移、角速度和加速度，使用巨磁阻材料制备的各种高性能的磁电阻传感器，在很多领域中都有着广泛的应用，比如机电自动控制、生物检测和航天工业等。

自旋阀结构磁阻传感器为常见的磁阻传感器，磁阻传感器对外界磁场信号的探测完全是通过自旋阀薄膜完成的，自旋阀薄膜性能及其图形精度从根本上影响了磁阻传感器的性能。

现有技术中，成型自旋阀薄膜时，会在自旋阀薄膜的边缘形成粘附物，该粘附物难以清除，影响磁阻传感器的产品性能，降低了产品的质量。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种磁传感器的制备方法，旨在提高器件的成型精度，以提高产品的质量。

为实现上述目的，本发明提出的磁传感器的制备方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成磁阻复合层，其中，所述磁阻复合层包括有效磁阻复合层以及工艺磁阻复合层；

采用光刻技术在所述磁阻复合层表面形成沉积槽，并在所述沉积槽内形成薄膜电极；

在所述磁阻复合层以及所述薄膜电极的表面形成第二绝缘层，采用光刻技术去除所述工艺磁阻复合层对应的所述第二绝缘层，以使得所述工艺磁阻复合层表面显露；

以所述有效磁阻复合层对应的第二绝缘层为硬质掩膜，刻蚀所述工艺磁阻复合层；

采用光刻技术去除部分所述硬质掩膜，以使得所述薄膜电极的表面至少部分显露。

可选地，所述提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成磁阻复合层的步骤中：

所述半导体衬底为硅基片；和/或，

所述第一绝缘层的材质为氧化硅；和/或，

在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层的工艺为热氧化工艺；和/或，

在所述第一绝缘层上形成磁阻复合层的工艺为磁控溅射工艺。

可选地，所述磁阻复合层的厚度为30～40nm；和/或，

所述磁阻复合层包括依次叠设的底层、反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁性间层、软磁自由层以及保护层，其中，所述底层形成于所述第一绝缘层上；和/或，

所述磁阻复合层为巨磁阻复合层或隧道磁阻复合层中的一种。

可选地，所述采用光刻技术在所述磁阻复合层表面形成沉积槽，并在所述沉积槽内形成薄膜电极的步骤中：