[发明专利]磁传感器的制备方法

权利要求书

1.一种磁传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成磁阻复合层，其中，所述磁阻复合层包括有效磁阻复合层以及工艺磁阻复合层；

采用光刻技术在所述磁阻复合层表面形成沉积槽，并在所述沉积槽内形成薄膜电极；

在所述磁阻复合层以及所述薄膜电极的表面形成第二绝缘层，采用光刻技术去除所述工艺磁阻复合层对应的所述第二绝缘层，以使得所述工艺磁阻复合层表面显露；

以所述有效磁阻复合层对应的第二绝缘层为硬质掩膜，刻蚀所述工艺磁阻复合层；

采用光刻技术去除部分所述硬质掩膜，以使得所述薄膜电极的表面至少部分显露。

2.如权利要求1所述的磁传感器的制备方法，其特征在于，所述提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成磁阻复合层的步骤中：

所述半导体衬底为硅基片；和/或，

所述第一绝缘层的材质为氧化硅；和/或，

在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层的工艺为热氧化工艺；和/或，

在所述第一绝缘层上形成磁阻复合层的工艺为磁控溅射工艺。

3.如权利要求1所述的磁传感器的制备方法，其特征在于，所述磁阻复合层的厚度为30～40nm；和/或，

所述磁阻复合层包括依次叠设的底层、反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁性间层、软磁自由层以及保护层，其中，所述底层形成于所述第一绝缘层上；和/或，

所述磁阻复合层为巨磁阻复合层或隧道磁阻复合层中的一种。

4.如权利要求1所述的磁传感器的制备方法，其特征在于，所述采用光刻技术在所述磁阻复合层表面形成沉积槽，并在所述沉积槽内形成薄膜电极的步骤中：

采用的光致抗蚀剂为负性光刻胶；和/或，

在所述磁阻复合层表面形成沉积槽的刻蚀工艺为离子束刻蚀工艺；和/或，

在所述沉积槽内形成薄膜电极的工艺为电子束蒸发工艺。

5.如权利要求1所述的磁传感器的制备方法，其特征在于，所述薄膜电极的材质为铝、铬、钛以及金中的一种或者多种；和/或，

所述薄膜电极的厚度为200～300nm。

6.如权利要求1所述的磁传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述磁阻复合层以及所述薄膜电极的表面形成第二绝缘层，采用光刻技术去除所述工艺磁阻复合层对应的所述第二绝缘层，以使得所述工艺磁阻复合层表面显露的步骤中：

采用的光致抗蚀剂为正性光刻胶；和/或，

在所述磁阻复合层以及所述薄膜电极的表面形成第二绝缘层的工艺为化学气相沉积工艺；和/或，

去除所述工艺磁阻复合层对应的所述第二绝缘层的刻蚀工艺为反应离子刻蚀工艺。

7.如权利要求1所述的磁传感器的制备方法，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为200～300nm；和/或，

所述第二绝缘层的材质为氮化硅或者氧化硅。

8.如权利要求1所述的磁传感器的制备方法，其特征在于，所述以所述有效磁阻复合层对应的第二绝缘层为硬质掩膜，刻蚀所述工艺磁阻复合层的步骤中：

刻蚀所述工艺磁阻复合层的刻蚀工艺为离子束刻蚀工艺。

9.如权利要求1所述的磁传感器的制备方法，其特征在于，所述采用光刻技术去除部分所述硬质掩膜，以使得所述薄膜电极的表面至少部分显露的步骤中：

采用的光致抗蚀剂为正性光刻胶；和/或，

去除部分所述硬质掩膜的刻蚀工艺为反应离子刻蚀工艺。

10.如权利要求1所述的磁传感器的制备方法，其特征在于，在所述光刻技术中，采用有机溶剂去除光致抗蚀剂，所述有机溶剂为丙酮或者异丙醇。