[发明专利]集成电路装置在审
| 申请号： | 202011210730.6 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112820730A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 宋在烈;吴承河;金洛焕;朴珉正;李东洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092;H01L29/423;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路(IC)装置包括位于衬底上的第一鳍型有源区域和第二鳍型有源区域。设置了多个第一半导体图案，其堆叠在所述第一鳍型有源区域上作为第一FINFET的多个间隔开的第一沟道区域。设置了多个第二半导体图案，其堆叠在所述第二鳍型有源区域上作为第二FINFET的多个间隔开的第二沟道区域。第一栅极结构设置在所述多个第一半导体图案上。该第一栅极结构包括第一材料区域，其至少部分地填充所述多个间隔开的第一沟道区域之间的空间。此外，第二栅极结构设置在所述多个第二半导体图案上。所述第二栅极结构包括第二材料区域和第三材料区域，其至少部分地填充所述多个间隔开的第二沟道区域之间的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
