[发明专利]一种氧化镓基MOSFET器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202011207957.5 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112382665A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 董斌;刘珠明;陈博谦;陈志涛;刘宁炀;李叶林;任远 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/24;H01L23/373;H01L23/367 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;朱燕华 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镓基MOSFET器件，其包括氧化镓基体，所述氧化镓基体包括氧化镓衬底，所述的氧化镓衬底的自由端面上刻蚀有由微纳尺寸的光子晶体孔形成的阵列，所述光子晶体孔内设有高导热率半导体材料，所述高导热率半导体材料为AlN、SiC、金刚石中的一种。本发明在氧化镓衬底的表面上刻蚀微纳尺寸的光子晶体孔阵列，利用具有光子晶体效应的微纳孔结构来调控器件的散热效果，提高辐射带宽和辐射效率，从而提高散热效果。同时，本发明还在光子晶体孔内设置了高导热率半导体材料，进一步提高了器件的导热效率。本发明针对氧化镓导热性差的问题，通过对器件中导热和散热传输路径的双重优化，实现了有效降低器件结温的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 mosfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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