[发明专利]一种倒装MOSFET器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202011207956.0 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112382664A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 董斌;陈博谦;陈志涛;刘珠明;刘宁炀;曾昭烩;李祈昕 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/24;H01L23/373;H01L23/367 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;朱燕华 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装MOSFET器件及其制作方法，其中，倒装MOSFET器件包括从上至下依次层设的氧化镓衬底、n型掺杂氧化镓层、n型重掺杂氧化镓层、二氧化硅钝化层、氧化铝介质层、键合层和氮化铝导热层；所述n型重掺杂氧化镓层和所述二氧化硅钝化层之间设有源电极和漏电极，所述氧化铝介质层上设有栅电极；所述氧化镓衬底的自由端面上刻蚀有由微纳结构阵列形成的散热结构，所述微纳结构的横截面尺寸为微米级或纳米级。本发明在氧化镓衬底的表面上刻蚀有微纳结构阵列，提高了散热效率。相比于电子器件散热器，本发明在器件的设计阶段预留散热窗口，在保证大功率器件寿命以及可靠性的前提下，缩短了器件的开发时间，降低了器件的研发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 mosfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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