[发明专利]存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

摘要

本申请案涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。本发明涉及一种包括存储器单元的串的存储器阵列，其包括垂直堆叠，所述堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。存储器单元的沟道材料串在所述堆叠中。沟道材料串从所述层面的最上部层面的材料向上突出。第一绝缘体材料直接抵靠所述向上突出的沟道材料串的沟道材料的侧在最上部层面的所述材料上方。所述第一绝缘体材料包括(a)和(b)中的至少一者，其中(a)：硅、氮、及碳、氧、硼和磷中的一或多者，且(b)：碳化硅。第二绝缘体材料在所述第一绝缘体材料上方。所述第一和第二绝缘体材料包括彼此不同的组合物。所述第二绝缘体材料中的导电通孔个别地直接电耦合到所述沟道材料串的个别者。本发明揭示包含方法的其它实施例。