[发明专利]发光二极管、外延结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202011206053.0 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN113451459B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 翟小林;杨顺贵;刘勇兴;黎力;张海林 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管、外延结构及其制作方法。该发光二极管外延结构，通过设置量子阱准备层，且量子阱准备层包括第一交替生长层和第二交替生长层，均通过氮化镓和氮化铟镓交替生长，从而有效的改善了高铟组分下氮化铟镓量子阱的晶体质量，提升了发光效率，并进一步改善了光分布的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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