[发明专利]晶圆蚀刻机在审
| 申请号： | 202011196271.0 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN114446861A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 冯傳彰;刘茂林;吴庭宇 | 申请（专利权）人： | 辛耘企业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 张燕华 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆蚀刻机，用于蚀刻单一晶圆，其包括一外槽、一蚀刻槽、一载具、一旋转马达、一升降机构、一主管路及一排水管路。蚀刻槽设置在外槽之内。载具具有用于承载晶圆的一托架，托架悬置在蚀刻槽上方。旋转马达连接载具而能够驱动载具旋转。升降机构连动载具及外槽的至少其中之一以驱动托架与蚀刻槽相对升降而使托架移动晶圆进出蚀刻槽。主管路连通蚀刻槽以将一工作流体注入蚀刻槽。排水管路连通外槽以排除自蚀刻槽溢入外槽的工作流体。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
