[发明专利]晶圆蚀刻机在审
申请号: | 202011196271.0 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN114446861A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 冯傳彰;刘茂林;吴庭宇 | 申请(专利权)人: | 辛耘企业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 张燕华 |
地址: | 中国台湾台北市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 | ||
本发明提供一种晶圆蚀刻机,用于蚀刻单一晶圆,其包括一外槽、一蚀刻槽、一载具、一旋转马达、一升降机构、一主管路及一排水管路。蚀刻槽设置在外槽之内。载具具有用于承载晶圆的一托架,托架悬置在蚀刻槽上方。旋转马达连接载具而能够驱动载具旋转。升降机构连动载具及外槽的至少其中之一以驱动托架与蚀刻槽相对升降而使托架移动晶圆进出蚀刻槽。主管路连通蚀刻槽以将一工作流体注入蚀刻槽。排水管路连通外槽以排除自蚀刻槽溢入外槽的工作流体。
技术领域
本发明系有关于晶圆蚀刻机,尤其是一种用于蚀刻单一晶圆的晶圆蚀刻机。
背景技术
现今的晶圆蚀刻制程之趋势已逐渐朝向单晶圆加工的方向发展,借此以符合产品多样化的需求。现有的单晶圆蚀刻机系以在晶圆表面喷洒蚀刻液的方式进行蚀刻,其蚀刻液在晶圆边缘的停留时间过短,造成晶圆边缘的蚀刻良率不佳。针对前述的问题,现行的解决方法系先将晶圆堆叠后预浸晶圆使晶圆的表面各处与蚀刻液充分接触后再移入蚀刻机进行蚀刻。然而,此方法需移动潮湿的晶圆,飞溅的蚀刻液难以管控。再者,批次预浸程序也失去单晶圆蚀刻的优点。
有鉴于此,本发明人遂针对上述现有技术,特潜心研究并配合学理的运用,尽力解决上述之问题点,即成为本发明人改良之目标。
发明内容
本发明提供一种用于蚀刻单一晶圆的晶圆蚀刻机。
本发明提供一种晶圆蚀刻机,用于蚀刻单一晶圆,其包括一外槽、一蚀刻槽、一载具、一旋转马达、一升降机构、一主管路及一排水管路。蚀刻槽设置在外槽之内。载具具有用于承载晶圆的一托架,托架悬置在蚀刻槽上方。旋转马达连接载具而能够驱动载具旋转。升降机构连动载具及外槽的至少其中之一以驱动托架与蚀刻槽相对升降而使托架移动所述晶圆进出蚀刻槽。主管路连通蚀刻槽以将一工作流体注入蚀刻槽。排水管路连通外槽以排除自蚀刻槽溢入外槽的工作流体。
本发明的晶圆蚀刻机,其载具具有一旋转座,旋转座位于外槽下方,托架连接旋转座且旋转马达连动旋转座。旋转座呈桶状,且主管路及排水管路容置在旋转座之内。外槽下方连接一支柱,且支柱穿过旋转座。支柱呈中空杆体,主管路穿设在支柱内。支柱之侧面开设有一通口,排水管路通过通口穿入支柱。
本发明的晶圆蚀刻机,其旋转马达及载具可以被承载于升降机构上。支柱穿过升降机构。
本发明的晶圆蚀刻机,其支柱可以连接升降机构。
本发明的晶圆蚀刻机其外槽与蚀刻槽一体构成。
本发明的晶圆蚀刻机更包含一冲洗喷嘴,冲洗喷嘴设置在蚀刻槽的一侧且斜仰朝向蚀刻槽内配置。
本发明的晶圆蚀刻机其借由可升降及旋转的载具将晶圆浸入盛满工作流体的蚀刻槽内进行蚀刻。因此使得工作流体能够完全覆盖晶圆的表面,故使蚀刻品质均匀稳定。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明较佳实施例的晶圆蚀刻机的俯视图。
图2为图1所示本发明较佳实施例的晶圆蚀刻机沿2-2剖线的剖面示意图。
图3至图5为本发明较佳实施例之晶圆蚀刻机的使用状态示意图。
图6及图7为本发明的晶圆蚀刻机的变化样式示意图。
其中,附图标记:
10:晶圆
20:工作流体
30:清洗液
100:外槽
200:蚀刻槽
300:载具
310:旋转座
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造