[发明专利]一种双面散热集成功率模块及其封装工艺在审
申请号: | 202011185961.6 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN114429948A | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 戴小平;彭程;齐放;柯攀;汪炼成;朱文辉 | 申请(专利权)人: | 湖南国芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L25/18;H01L25/16;H01L25/00;H01L23/14;H01L23/367;H01L21/52;H01L21/56 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;张高洁 |
地址: | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明涉及功率模块封装技术领域,尤其涉及一种双面散热集成功率模块及其封装工艺。本发明的功率模块包括第一衬板、第二衬板、位于所述第一衬板和所述第二衬板之间的芯片转接板以及位于所述芯片转接板上的芯片,其中,所述芯片转接板上设置有至少两个芯片,所述芯片转接板的下表面与所述第一衬板相连,所述芯片的正面均与所述芯片转接板的上表面相连,且所述芯片的背面均与所述第二衬板相连。本发明中通过设置芯片转接板作为多个芯片的载体,实现了多芯片的集成,优化了封装结构,同时可实现双面散热,使芯片正常工作时结温和热载荷明显降低,提高了模块的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 散热 集成 功率 模块 及其 封装 工艺 | ||
【主权项】:
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