[发明专利]一种双掺杂谐振腔单行载流子光电二极管

摘要

本发明提供一种双掺杂谐振腔单行载流子光电二极管，所述器件在吸收层和收集层同时进行处理，在吸收层进行线性渐变掺杂从而吸收层的禁带宽度呈现线性变化或在吸收层掺杂材料组分实现阶跃式分布从而吸收层的禁带宽度呈现梯度变化，这都利于提高吸收层内建电场强度进而减少电子漂移时间，提高器件响应度。在收集层采用氧化工艺获得收集层部分氧化物绝缘层结构，由其低折射率特性，将降低所述器件的寄生电容，提升器件的响应速度。此外，在集成器件的外部上引入第一反射镜和第二反射镜形成谐振腔结构，从而增强入射信号光在高Q值谐振腔内场的振幅，进而使所述器件量子效率提高。