[发明专利]一种具有组分渐变的背势垒结构的HEMT器件在审
| 申请号： | 202011175903.5 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112289853A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 杨国锋 | 申请（专利权）人： | 杨国锋 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/205;H01L29/207;H01L29/778 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 林娟 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有组分渐变的背势垒结构的HEMT器件，属于半导体功率器件制造技术领域。所述HEMT器件通过引入组分渐变的背势垒，有效地增强沟道中的电子约束，从而改善器件的性能。此外，背势垒中的极化渐变可以降低寄生沟道中的2DEG浓度并减弱沟道的不利影响，这有利于改善器件的电子性能。本发明通过采用极化渐变的AlGaN背势垒，使得HEMT器件的饱和电流和跨导均有所提高，电流增益截止频率峰值和功率增益截止频率峰值也得到了提高，从而获得高性能的InAlN/GaN HEMT。由此，该结构有助于GaN基功率器件的发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 组分 渐变 背势垒 结构 hemt 器件 | ||
【主权项】：
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