[发明专利]一种Ge-Sb基相变材料及多级相变存储器

摘要

本发明公开了一种Ge‑Sb基相变存储材料及多级相变存储器，其化学通式为(GeiSbj)100‑kXk，i，j，k分别为Ge、Sb和X的元素百分比，其中0i≤50，50≤j100，0k100，i+j＝100；X溶于Sb，在温度升高或者施加电脉冲的条件下，可以使Ge‑Sb基相变存储材料的结晶状态发生改变，且Ge‑Sb基相变存储材料第一次结晶时，Ge、Sb和X分布较为均匀，共同构成固溶体，对应第一种阻态，而当Ge‑Sb基相变存储材料第二次乃至以后更多次结晶时，Ge、Sb和X非均匀分布，形成Sb富集或Ge富集或X富集的区域，这些富集区域会使阻态发生进一步下降，产生第三乃至更多的阻态，故该Ge‑Sb基相变存储材料适用于多级存储；另外，该材料的非晶态和晶态电阻比较高、热稳定性较高，用于存储时准确性较高，适用范围广。