[发明专利]高频高线性输入缓冲器和高频高线性输入缓冲器差分电路有效
申请号: | 202011152687.2 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN112260681B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 杨金达;岑远军;罗建 | 申请(专利权)人: | 成都华微电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 610041 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 高频高线性输入缓冲器和高频高线性输入缓冲器差分电路,涉及集成电路技术。本发明的高频高线性输入缓冲器包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和信号平移单元,第一MOS管的栅端作为缓冲器的输入端,第一MOS管的电流输出端作为缓冲器的输出端;第一MOS管的电流输入端连接第二MOS管的电流输出端,第一MOS管的电流输出端连接第三MOS管的电流输入端,第二MOS管的电流输入端连接第三MOS管的栅端,信号平移单元的输入端接缓冲器的输入端,信号平移单元的输出端接第二MOS管的栅端,第三MOS管的输出端接地,第二MOS管的电流输入端接有源偏置电流电路。本发明有效的提高了输入线性度和输出线性度。 | ||
搜索关键词: | 高频 线性 输入 缓冲器 电路 | ||
【主权项】:
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