[发明专利]高频高线性输入缓冲器和高频高线性输入缓冲器差分电路有效

专利信息
申请号: 202011152687.2 申请日: 2020-10-26
公开(公告)号: CN112260681B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 杨金达;岑远军;罗建 申请(专利权)人: 成都华微电子科技股份有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人: 刘勋
地址: 610041 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 高频高线性输入缓冲器和高频高线性输入缓冲器差分电路,涉及集成电路技术。本发明的高频高线性输入缓冲器包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和信号平移单元,第一MOS管的栅端作为缓冲器的输入端,第一MOS管的电流输出端作为缓冲器的输出端;第一MOS管的电流输入端连接第二MOS管的电流输出端,第一MOS管的电流输出端连接第三MOS管的电流输入端,第二MOS管的电流输入端连接第三MOS管的栅端,信号平移单元的输入端接缓冲器的输入端,信号平移单元的输出端接第二MOS管的栅端,第三MOS管的输出端接地,第二MOS管的电流输入端接有源偏置电流电路。本发明有效的提高了输入线性度和输出线性度。
搜索关键词: 高频 线性 输入 缓冲器 电路
【主权项】:
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