[发明专利]一种耐瞬时电流冲击的异质结半导体器件有效
| 申请号： | 202011143648.6 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112259605B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;钱乐;张弛;李胜;辛树轩;葛晨;刘斯扬;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种耐瞬时电流冲击的异质结半导体器件，包括：衬底，在衬底中设有衬底电阻区，在衬底上依次设有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体区，第二半导体层与第三半导体层接触形成电子沟道层，在衬底电阻区上依次设有第一介质区、金属区、第二介质区，在第三半导体层上设有第一金属电极、第三金属电极，在第四半导体区上设有第二金属电极，在衬底下方设有第四金属电极，第一介质区、第二介质区、半导体层呈交替分布，该结构可以提高器件耐瞬时电流冲击的能力，在器件承受瞬时大电流时，对器件起到一定的保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 瞬时 电流 冲击 异质结 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011143648.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：变电站自动化系统的信息治理方法和装置
- 下一篇：一种气吹系统
- 同类专利
- 专利分类
