[发明专利]一种可改善半导体激光芯片热传导效率的热沉及制备方法在审
| 申请号： | 202011137278.5 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112382921A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 左致远;康汝燕;刘泽翰;程鹏鹏;张子琦 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/0237 |
| 代理公司： | 青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙) 37247 | 代理人： | 刘娜 |
| 地址： | 250013 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可改善半导体激光芯片热传导效率的热沉及制备方法，该热沉包括碳化硅基底，所述碳化硅基底上表面通过紫外光刻或干法刻蚀技术间隔刻蚀有多条凹槽，所述碳化硅基底上表面位于凹槽外的区域通过高温升华方法原位制备有石墨烯，所述凹槽内通过剥离工艺填充有可用于半导体激光芯片焊接所需的焊料，半导体激光芯片通过焊料与碳化硅基底结合在一起。本发明所公开的热沉制备方法简单，成本低，避免对设备及人员造成损害，该方法制备的热沉能够显著提升半导体激光芯片的散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 半导体 激光 芯片 热传导 效率 制备 方法 | ||
【主权项】：
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