[发明专利]一种磁场探测方法及装置有效
| 申请号： | 202011123216.9 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420917B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 范林杰;毕津顺;习凯;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/80;H10N52/80;H10N52/00;H10N59/00;G01R33/07 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种磁场探测方法及装置，该装置包括：衬底；位于衬底上的多个探测单元；探测单元包括：相对设置的霍尔电极，位于相对设置的霍尔电极之间的阻变材料层和有源层，使得霍尔电极分别与阻变材料层和有源层均接触，有源层位于阻变材料层之上，该霍尔电极位于有源层的第一对边，嵌于有源层上的相对设置的两个欧姆电极，两个欧姆电极位于有源层的第二对边，进而能够对探测出的磁场信息进行存储记录，为磁场探测提供有效帮助。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 探测 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011123216.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种汽车前地板的修边模具
- 下一篇：一种塑料容器保护壳
