[发明专利]一种等离子体处理装置及其气体喷淋环的制作方法在审
申请号: | 202011118203.2 | 申请日: | 2020-10-19 |
公开(公告)号: | CN114388322A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 杨金全;王正友;段蛟 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/67 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼;张妍 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种等离子体处理装置及其气体喷淋环的制作方法,该装置包含:真空反应腔;上电极组件,位于真空反应腔顶部;下电极组件,位于真空反应腔底部,所述下电极组件和上电极组件相对设置,所述下电极组件包含一承载面,用于承载晶圆;气体喷淋环,环绕设置在下电极组件的外侧,所述气体喷淋环包含若干个气体供应孔,所述气体供应孔与一反应气体输送装置相连,用于将反应气体输送到所述真空反应腔内部,以在所述上电极组件和所述下电极组件之间产生等离子体。其优点是:该装置通过气体喷淋环实现反应气体的输送,不会因为上电极组件等的安装误差使反应气体的输送不均匀进而影响刻蚀效果,较大程度的提升了等离子体处理装置的使用稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 处理 装置 及其 气体 喷淋 制作方法 | ||
【主权项】:
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