[发明专利]一种高温压力传感器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202011099028.7 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112174085A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 王立会;邓杨 | 申请（专利权）人： | 广州市智芯禾科技有限责任公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;G01L1/20;G01L9/02 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理有限公司 11368 | 代理人： | 李世端 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高温压力传感器芯片及其制备方法，高温压力传感器芯片包括顶层硅结构和底层SOI结构；底层SOI结构由上至下依次分布的信号处理层硅、绝缘层氧化硅和感压层硅，顶层硅结构上设置有信号引出孔和位于下表面的压力腔，感压层硅的下表面设置有引压腔；信号处理层硅包括四个惠斯通电桥桥臂电阻R1、R2、R3、R4、四个惠斯通电桥电极E1、E2、E3、E4以及隔离键合层，信号处理层硅用于将压力信号转换为电信号。本发明提供的压力传感器基于SOI基底制成，使用氧化硅代替PN结作为其绝缘层，其最高使用温度达到500℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 压力传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州市智芯禾科技有限责任公司，未经广州市智芯禾科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011099028.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
