[发明专利]一种DRAM存储器的性能检测方法和检测电路在审
| 申请号： | 202011092831.8 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN114360618A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 李相惇;孙永载;赵劼;杨涛;张欣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08;G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种DRAM存储器的性能检测方法和检测电路。DRAM存储器的性能检测方法包括如下步骤：将存储单元的字线的一端和/或位线的一端分别与测量焊盘连接，所述存储单元位于DRAM存储器的边缘；对与所述测量焊盘连接的字线的一端和/或位线的一端施加测量电压或测量电流；通过所述测量焊盘输出测量结果。通过将位于DRAM存储器的边缘的存储单元的字线的一端和/或位线的一端分别与测量焊盘连接，施加测量电压或测量电流，输出所述测量结果，能够在不影响存储单元的情况下对存储器进行性能检测，不影响产品良率和产品的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dram 存储器 性能 检测 方法 电路 | ||
【主权项】：
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