[发明专利]柔性底栅结构电荷俘获型存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011089569.1 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112382667A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 秦国轩;杨晓东;刘汪钰;周亮宇;闫宏光;黄逸蒙 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/24;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及柔性电子器件技术领域，为设计并制备一种基于锆钛复合氧化物介质层的柔性底栅结构电荷俘获型存储器，丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能，本发明，柔性底栅结构电荷俘获型存储器，在PET衬底上从下至上依次形成氧化铟锡底栅电极以及氧化物阻挡层、存储层、氧化物隧穿层，氧化物隧穿层上方是在SOI上形成的掺杂区，掺杂区上方形成有源漏电极，锆钛复合氧化物介质组成的存储层用于存储通过隧穿层的电荷，氧化铝隧穿层在栅漏之间不加电场时隔离存储层和Si薄膜；氧化铝阻挡层防止底栅电极和存储层之间电荷转移。本发明主要应用于柔性电子器件设计制造场合。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 结构 电荷 俘获 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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